該儀器采用了主動擾動抑制技術、快速應力形變分析算法、共光路橫向錯位干涉、二維偏振相移等技術，大口徑、大面形、抗高溫空氣擾動等關鍵技術。可對6英寸樣品應力和形變進行全場、快速、直接測試。適用于微電子、光電子器件科研生產(chǎn)中電子基片和薄膜的面形分布、應力分布和應力釋放過程的測試，為提高電子元器件質(zhì)量和可靠性提供數(shù)據(jù)支持。
可測Si、CaAs、InGaAs和Ge等具有反光性能的薄膜或拋光片
基片和薄膜面形測試
薄膜應力分布測試；
應力和形變釋放過程測試
變溫基片形變和薄膜應力測試；
具有測試過程數(shù)據(jù)記錄功能，輸出結果類型：三維立體顯示、二維偽彩色顯示、數(shù)據(jù)表格、溫度與應力曲線
技術參數(shù)：
測試樣片尺寸：2～6英寸
激光波長：650nm±30nm
激光功率：≥15mW
樣品溫控范圍：室溫～200℃
溫度均勻性：±2%±2℃
溫度控制精度：±2%±1℃
溫度顯示分辨率：0.1℃
曲率半徑測試范圍：∣R∣≥8m
曲率半徑測試精度：5%
應力測量范圍：50MPa～1GPa
應力重復測量精度：±10%±10MPa
應力測量顯示分辨率：10MPa
測試時間：≤3min/片
電源：AC 220（1±10%）V，50（1±5%）Hz
功耗：≤350W
結構特征：臺式
外形尺寸（W×H×D）：≤520mm×630mm×850mm
重量：約80kg
6341電子薄膜應力分布測試儀
該儀器是為解決微電子、光電子科研與生產(chǎn)中基片平整度及薄膜應力分布的測試而設計的。它通過測量每道工序前后基片面形的變化（變形）來測量曲率半徑的變化及應力分布，從而計算薄膜應力。廣泛應用于半導體器件工藝研究及質(zhì)量控制，為改善半導體器件可靠性提供測試數(shù)據(jù)。
本儀器適用于測量Si、Ge、CaAs等半導體材料的基片平整度，以及氧化硅、氮化硅、鋁等具有一定反光性能的薄膜的應力分布。
技術參數(shù)：
測試硅片尺寸：2～4英寸
硅片曲率范圍：|R|> 5米
測試精度：5%（在R=±8米處考核）
單片測試時間：3分鐘/片
輸出結果類型：面形、曲率分布、梯度分布和應力分布
圖形顯示功能：三維立體顯示、二維偽彩色顯示、統(tǒng)計數(shù)據(jù)表格
電 源：AC 220（1±10%）V，50（1±5%）Hz
*大功耗：100W
外形尺寸：285mm×680mm×450mm
重 量：≤36kg
